Aufsatz(elektronisch)Januar 2021

A sub-500 mV monolayer hexagonal boron nitride based memory device

In: Materials and design, Band 198, S. 109366

Ge, Jun; Huang, Haiming; Ma, Zelin; Chen, Weilong; Cao, Xucheng; Fang, Huaheng; Yan, Jianfeng; Liu, Zhiyu; Wang, Weiliang; Pan, Shusheng

Open Access

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Sprachen

Englisch

Verlag

Elsevier BV

ISSN: 1873-4197

DOI

10.1016/j.matdes.2020.109366

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